Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies IRFB7530PBF MOSFET 1 N-kanal 375 W TO-220AB
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-220AB
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
375 W
R(DS)(on)
2 mΩ
Datablad (PDF)
160 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
10
-
22,32 kr.
30
7% = 1,67 kr.
20,65 kr.
50
10% = 2,34 kr.
19,98 kr.
100
12% = 2,78 kr.
19,54 kr.
200
15% = 3,28 kr.
19,04 kr.
400
17% = 3,84 kr.
18,48 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 10
Total (22,32 kr. / stk.r)
223,20 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRFB7530PBF
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
TO-220AB
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
N-kanal
- I(d)
195 A
- U
60 V
- Ydelse (max) P(TOT)
375 W
- R(DS)(on)
2 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
100 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
3.7 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
411 nC
- Q(G) reference-spænding
10 V
- C(ISS)
13703 pF
- C(ISS) reference-spænding
25 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Serie
HEXFET®
StrongIRFET™
- Drifttemperation (max.)
+175 °C
- Transistor-funktion
Standard
- U(DSS)
60 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 564040 Infineon Technologies IRFB7530PBF MOSFET 1 N-kanal 375 W TO-220AB
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 564040 Infineon Technologies IRFB7530PBF MOSFET 1 N-kanal 375 W TO-220AB
Beskrivelse
Bemærk! Dette produkt er blevet maskineoversat.