Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies IRF9Z34N MOSFET 1 P-kanal 3.8 W TO-220
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-220
Variant
P-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
3.8 W
R(DS)(on)
100 mΩ
Datablad (PDF)
835 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
5
-
5,15 kr.
15
8% = 0,41 kr.
4,74 kr.
25
11% = 0,58 kr.
4,57 kr.
50
13% = 0,69 kr.
4,46 kr.
100
16% = 0,81 kr.
4,34 kr.
200
18% = 0,95 kr.
4,20 kr.
500
21% = 1,10 kr.
4,05 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 5
Total (5,15 kr. / stk.r)
25,75 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
Power MOSFET, P-kanal
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRF9Z34N
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
TO-220
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
P-kanal
- I(d)
19 A
- U
55 V
- Ydelse (max) P(TOT)
3.8 W
- R(DS)(on)
100 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
10 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
4 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
35 nC
- Q(G) reference-spænding
10 V
- C(ISS)
620 pF
- C(ISS) reference-spænding
25 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Serie
HEXFET®
- Drifttemperation (max.)
+175 °C
- Transistor-funktion
Standard
- U(DSS)
55 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 162551 Infineon Technologies IRF9Z34N MOSFET 1 P-kanal 3.8 W TO-220
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 162551 Infineon Technologies IRF9Z34N MOSFET 1 P-kanal 3.8 W TO-220
Beskrivelse
Bemærk! Dette produkt er blevet maskineoversat.