Name: Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-247
Brand: Infineon Technologies
SKU: 162637
Availability: InStock

Højdepunkter og detaljer

MOSFET (HEXFET/FETKY)

Vigtig information

Tekniske specifikationer

Type: IRFP064NPBF

Produkttype: MOSFET

Kabinet: TO-247

Producent: Infineon Technologies

Producent-forkortelse: INF

Variant: N-kanal

I(d): 110 A

U: 55 V

Ydelse (max) P(TOT): 200 W

R(DS)(on): 8 mΩ

R(DS)(on) reference-strøm: 59 A

R(DS)(on) reference-spænding: 10 V

U(GS) (th) maks.: 4 V

U(GS) (th) reference-strøm maks.: 250 µA

Q(G): 170 nC

Q(G) reference-spænding: 10 V

C(ISS): 4000 pF

C(ISS) reference-spænding: 25 V

Driftstemperatur (min.): -55 °C

Monteringsmåde: Gennemgangshul

Serie: HEXFET®

Drifttemperation (max.): +175 °C

Transistor-funktion: Standard

U(DSS): 55 V

Kanaler: 1

Indhold: 1 stk

Variant: N-kanal

Type: IRFP 064 N

Beskrivelse: 55 V/110 A;

Kabinet: TO 247

Dokumenter og downloads

Datablad

Datablad 162637 Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-247

Instruktioner for brug og sikkerhed

Instruktioner for brug og sikkerhed 162637 Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-247

Beskrivelse

En MOSFET-transistor er en spændingsstyret konstruktionsdel og kan tilsluttes direkte til kilder med høj modstand. Den er derfor egnet til anvendelse som afbryder eller analog forstærker. Denne transistor er µC-, TTL- og CMOS-kompatibel. Bemærk: Producent SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Beskrivelse

En MOSFET-transistor er en spændingsstyret konstruktionsdel og kan tilsluttes direkte til kilder med høj modstand. Den er derfor egnet til anvendelse som afbryder eller analog forstærker. Denne transistor er µC-, TTL- og CMOS-kompatibel. Bemærk: Producent SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.