Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-247
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-247
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
8 mΩ
Datablad (PDF)
123 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
1
-
19,12 kr.
10
7% = 1,43 kr.
17,69 kr.
25
10% = 2,00 kr.
17,12 kr.
50
12% = 2,38 kr.
16,74 kr.
100
15% = 2,82 kr.
16,30 kr.
250
17% = 3,29 kr.
15,83 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Total (19,12 kr. / stk.r)
19,12 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRFP064NPBF
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
TO-247
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
N-kanal
- I(d)
110 A
- U
55 V
- Ydelse (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
8 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
59 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
4 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
170 nC
- Q(G) reference-spænding
10 V
- C(ISS)
4000 pF
- C(ISS) reference-spænding
25 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Serie
HEXFET®
- Drifttemperation (max.)
+175 °C
- Transistor-funktion
Standard
- U(DSS)
55 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
- Variant
N-kanal
- Type
IRFP 064 N
- Beskrivelse
55 V/110 A;
- Kabinet
TO 247
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 162637 Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-247
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 162637 Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-247
Beskrivelse
En MOSFET-transistor er en spændingsstyret konstruktionsdel og kan tilsluttes direkte til kilder med høj modstand. Den er derfor egnet til anvendelse som afbryder eller analog forstærker. Denne transistor er µC-, TTL- og CMOS-kompatibel. Bemærk: Producent SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.