Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies IRF1104PBF MOSFET 1 N-kanal 170 W TO-220AB
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-220AB
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
170 W
R(DS)(on)
9 mΩ
Datablad (PDF)
49 stk. (Så længe lager haves)
Antal
Total (5,88 kr. / stk.r)
12,72 kr.
-54 %
5,88 kr.
ekskl. moms
30 dages returret
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRF1104PBF
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
TO-220AB
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
N-kanal
- I(d)
100 A
- U
40 V
- Ydelse (max) P(TOT)
170 W
- R(DS)(on)
9 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
60 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
4 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
93 nC
- Q(G) reference-spænding
10 V
- C(ISS)
2900 pF
- C(ISS) reference-spænding
25 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Serie
HEXFET®
- Drifttemperation (max.)
+175 °C
- Transistor-funktion
Standard
- U(DSS)
40 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 563940 Infineon Technologies IRF1104PBF MOSFET 1 N-kanal 170 W TO-220AB
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 563940 Infineon Technologies IRF1104PBF MOSFET 1 N-kanal 170 W TO-220AB
Beskrivelse
Bemærk! Dette produkt er blevet maskineoversat.