Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-220
Variant
HEXFET
Ydelse (max) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
22 mΩ
Datablad (PDF)
4248 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
3
-
6,60 kr.
9
8% = 0,53 kr.
6,07 kr.
15
11% = 0,74 kr.
5,86 kr.
30
13% = 0,89 kr.
5,71 kr.
60
16% = 1,05 kr.
5,55 kr.
120
18% = 1,22 kr.
5,38 kr.
300
22% = 1,42 kr.
5,18 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 3
Total (6,60 kr. / stk.r)
19,80 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRLZ44NPBF
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
TO-220
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
HEXFET
- I(d)
47 A
- U
55 V
- Ydelse (max) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
22 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
25 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
2 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
48 nC
- Q(G) reference-spænding
5 V
- C(ISS)
1700 pF
- C(ISS) reference-spænding
25 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Serie
HEXFET®
- Drifttemperation (max.)
+175 °C
- Transistor-funktion
Logic level gate
- U(DSS)
55 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
- Variant
HEXFET
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 162877 Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 162877 Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220
Beskrivelse
Bemærk! Dette produkt er blevet maskineoversat.