Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies IRLML6402TRPBF MOSFET 1 P-kanal 1.3 W SOT-23
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
SOT-23
Variant
P-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
1.3 W
R(DS)(on)
65 mΩ
Datablad (PDF)
1307 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
20
-
7,21 kr.
60
8% = 0,59 kr.
6,62 kr.
100
11% = 0,82 kr.
6,39 kr.
200
13% = 0,97 kr.
6,24 kr.
400
16% = 1,15 kr.
6,06 kr.
800
19% = 1,34 kr.
5,87 kr.
2000
21% = 1,55 kr.
5,66 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 20
Total (7,21 kr. / stk.r)
144,20 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRLML6402TRPBF
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
SOT-23
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
P-kanal
- I(d)
3.7 A
- U
20 V
- Ydelse (max) P(TOT)
1.3 W
- R(DS)(on)
65 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
3.7 A
- R(DS)(on) reference-spænding
4.5 V
- U(GS) (th) maks.
1.2 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
12 nC
- Q(G) reference-spænding
5 V
- C(ISS)
633 pF
- C(ISS) reference-spænding
10 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Serie
HEXFET®
- Drifttemperation (max.)
+150 °C
- Transistor-funktion
Standard
- U(DSS)
20 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 162833 Infineon Technologies IRLML6402TRPBF MOSFET 1 P-kanal 1.3 W SOT-23
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 162833 Infineon Technologies IRLML6402TRPBF MOSFET 1 P-kanal 1.3 W SOT-23
Beskrivelse
Bemærk! Dette produkt er blevet maskineoversat.