Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 N-kanal 130 W TO-220
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-220
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
130 W
R(DS)(on)
44 mΩ
Datablad (PDF)
640 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
1
-
10,32 kr.
10
8% = 0,83 kr.
9,49 kr.
25
11% = 1,16 kr.
9,16 kr.
50
13% = 1,38 kr.
8,94 kr.
100
16% = 1,63 kr.
8,69 kr.
250
19% = 1,91 kr.
8,41 kr.
500
22% = 2,22 kr.
8,10 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Total (10,32 kr. / stk.r)
10,32 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRF540NPBF
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
TO-220
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
N-kanal
- I(d)
33 A
- U
100 V
- Ydelse (max) P(TOT)
130 W
- R(DS)(on)
44 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
16 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
4 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
71 nC
- Q(G) reference-spænding
10 V
- C(ISS)
1960 pF
- C(ISS) reference-spænding
25 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Serie
HEXFET®
- Drifttemperation (max.)
+175 °C
- Transistor-funktion
Standard
- U(DSS)
100 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
- Variant
N-kanal
- Type
IRF 540 N
- Beskrivelse
100 V/33A;
- Kabinet
TO 220
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 162412 Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 N-kanal 130 W TO-220
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 162412 Infineon Technologies IRF540NPBF MOSFET 1 N-kanal 130 W TO-220
Beskrivelse
En MOSFET-transistor er en spændingsstyret konstruktionsdel og kan tilsluttes direkte til kilder med høj modstand. Den er derfor egnet til anvendelse som afbryder eller analog forstærker. Bemærk: Producent SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.