Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies IRF630NPBF MOSFET 1 N-kanal 82 W TO-220AB
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-220AB
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
82 W
R(DS)(on)
300 mΩ
Datablad (PDF)
4 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
3
-
8,72 kr.
9
8% = 0,70 kr.
8,02 kr.
15
11% = 0,98 kr.
7,74 kr.
30
13% = 1,17 kr.
7,55 kr.
60
16% = 1,38 kr.
7,34 kr.
120
19% = 1,62 kr.
7,10 kr.
300
21% = 1,87 kr.
6,85 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 3
Total (8,72 kr. / stk.r)
26,16 kr.
ekskl. moms
Kun 4 stk. tilbage på lager
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRF630NPBF
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
TO-220AB
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
N-kanal
- I(d)
9.3 A
- U
200 V
- Ydelse (max) P(TOT)
82 W
- R(DS)(on)
300 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
5.4 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
4 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
35 nC
- Q(G) reference-spænding
10 V
- C(ISS)
575 pF
- C(ISS) reference-spænding
25 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Serie
HEXFET®
- Drifttemperation (max.)
+175 °C
- Transistor-funktion
Standard
- U(DSS)
200 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 563977 Infineon Technologies IRF630NPBF MOSFET 1 N-kanal 82 W TO-220AB
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 563977 Infineon Technologies IRF630NPBF MOSFET 1 N-kanal 82 W TO-220AB
Beskrivelse
Bemærk! Dette produkt er blevet maskineoversat.