• Platform for Everything Technical
  • Hurtig levering
  • Ekspertise siden 1923
  • Returret t.o.m. 29. jan

Vishay SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-kanal 1.66 W SOT-23-3

Lignende billede
Produkttype
MOSFET
Kabinet
SOT-23-3
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
1.66 W
R(DS)(on)
156 mΩ
Datablad (PDF)
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Udgået


Total (5,23 kr. / stk.r)
5,23 kr.
prav.tax.untaxed inkl. moms 
ekskl. 74,95 kr. 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
Uden yderligere fragtomkostninger 
30 dages returret

Højdepunkter og detaljer

MOSFET

Vigtig information

Tekniske specifikationer

Type

SI2308BDS-T1-GE3

Produkttype

MOSFET

Kabinet

SOT-23-3

Producent

Vishay

Producent-forkortelse

VIS

Variant

N-kanal

I(d)

2.3 A

U

60 V

Ydelse (max) P(TOT)

1.66 W

R(DS)(on)

156 mΩ

R(DS)(on) reference-strøm

1.9 A

R(DS)(on) reference-spænding

10 V

U(GS) (th) maks.

3 V

U(GS) (th) reference-strøm maks.

250 µA

Q(G)

6.8 nC

Q(G) reference-spænding

10 V

C(ISS)

190 pF

C(ISS) reference-spænding

30 V

Driftstemperatur (min.)

-55 °C

Monteringsmåde

Overflademontage

Serie

TrenchFET®

Drifttemperation (max.)

+150 °C

Transistor-funktion

Standard

U(DSS)

60 V

Kanaler

1

Indhold

1 stk

Dokumenter og downloads

Datablad

Datablad 597300 Vishay SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-kanal 1.66 W SOT-23-3

Instruktioner for brug og sikkerhed

Instruktioner for brug og sikkerhed 597300 Vishay SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-kanal 1.66 W SOT-23-3

Hvilken type MOSFETS leder du efter?

tilbehør

(*Alle priser er ekskl. moms)

Det nødvendige tilbehør er nødvendigt for at kunne bruge den beskrevne vare

Flere interessante produkter

(*Alle priser er ekskl. moms)