Lignende billede
Lignende billede
Vishay SI2303CDS-T1-GE3 MOSFET 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
SOT-23-3
Variant
P-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
2.3 W
R(DS)(on)
190 mΩ
Datablad (PDF)
2877 stk. (Så længe lager haves)
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
1
-
4,99 kr.
10
8% = 0,40 kr.
4,59 kr.
25
11% = 0,56 kr.
4,43 kr.
50
13% = 0,67 kr.
4,32 kr.
100
16% = 0,79 kr.
4,20 kr.
250
19% = 0,93 kr.
4,06 kr.
500
21% = 1,07 kr.
3,92 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Total (4,99 kr. / stk.r)
4,99 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
SI2303CDS-T1-GE3
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
SOT-23-3
- Producent
Vishay
- Producent-forkortelse
VIS
- Variant
P-kanal
- I(d)
2.7 A
- U
30 V
- Ydelse (max) P(TOT)
2.3 W
- R(DS)(on)
190 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
1.9 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
3 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
8 nC
- Q(G) reference-spænding
10 V
- C(ISS)
155 pF
- C(ISS) reference-spænding
15 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Serie
TrenchFET®
- Drifttemperation (max.)
+150 °C
- Transistor-funktion
Standard
- U(DSS)
30 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 597295 Vishay SI2303CDS-T1-GE3 MOSFET 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 597295 Vishay SI2303CDS-T1-GE3 MOSFET 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3