Lignende billede
Lignende billede
Vishay SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-kanal 710 mW SOT-23-3
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
SOT-23-3
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
710 mW
R(DS)(on)
57 mΩ
Datablad (PDF)
2568 stk. (Så længe lager haves)
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
1
-
5,55 kr.
10
8% = 0,45 kr.
5,10 kr.
25
11% = 0,62 kr.
4,93 kr.
50
13% = 0,74 kr.
4,81 kr.
100
16% = 0,88 kr.
4,67 kr.
250
18% = 1,02 kr.
4,53 kr.
500
21% = 1,19 kr.
4,36 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Total (5,55 kr. / stk.r)
5,55 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
SI2302CDS-T1-GE3
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
SOT-23-3
- Producent
Vishay
- Producent-forkortelse
VIS
- Variant
N-kanal
- I(d)
2.6 A
- U
20 V
- Ydelse (max) P(TOT)
710 mW
- R(DS)(on)
57 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
3.6 A
- R(DS)(on) reference-spænding
4.5 V
- U(GS) (th) maks.
0.85 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
5.5 nC
- Q(G) reference-spænding
4.5 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Serie
TrenchFET®
- Drifttemperation (max.)
+150 °C
- Transistor-funktion
Standard
- U(DSS)
20 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 597294 Vishay SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-kanal 710 mW SOT-23-3
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 597294 Vishay SI2302CDS-T1-GE3 MOSFET 1 N-kanal 710 mW SOT-23-3