Lignende billede
Lignende billede
ON Semiconductor FDS8858CZ MOSFET 1 N-kanal, P-kanal 900 mW SOIC-8
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
SOIC-8
Variant
N-kanal
P-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
900 mW
R(DS)(on)
17 mΩ
16 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
1
-
6,60 kr.
10
8% = 0,53 kr.
6,07 kr.
25
11% = 0,74 kr.
5,86 kr.
50
13% = 0,89 kr.
5,71 kr.
100
16% = 1,05 kr.
5,55 kr.
250
18% = 1,22 kr.
5,38 kr.
500
22% = 1,42 kr.
5,18 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Total (6,60 kr. / stk.r)
6,60 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
FDS8858CZ
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
SOIC-8
- Producent
ON Semiconductor
- Producent-forkortelse
OnS
- Variant
N-kanal
P-kanal
- I(d)
8.6 A
7.3 A
- U
30 V
- Ydelse (max) P(TOT)
900 mW
- R(DS)(on)
17 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
8.6 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
3 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
24 nC
- Q(G) reference-spænding
10 V
- C(ISS)
1205 pF
- C(ISS) reference-spænding
15 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Serie
PowerTrench®
- Drifttemperation (max.)
+150 °C
- Transistor-funktion
Logic level gate
- U(DSS)
30 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 1263964 ON Semiconductor FDS8858CZ MOSFET 1 N-kanal, P-kanal 900 mW SOIC-8
Beskrivelse
Bemærk! Dette produkt er blevet maskineoversat.