Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies IRLML6401TRPBF MOSFET 1 P-kanal 1.3 W SOT-23
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
SOT-23
Variant
P-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
1.3 W
R(DS)(on)
50 mΩ
Datablad (PDF)
1051 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
15
-
1,21 kr.
45
9% = 0,11 kr.
1,10 kr.
75
12% = 0,15 kr.
1,06 kr.
150
16% = 0,19 kr.
1,02 kr.
300
18% = 0,22 kr.
0,99 kr.
600
21% = 0,26 kr.
0,95 kr.
1500
25% = 0,30 kr.
0,91 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 15
Total (1,21 kr. / stk.r)
18,15 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRLML6401TRPBF
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
SOT-23
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
P-kanal
- I(d)
4.3 A
- U
12 V
- Ydelse (max) P(TOT)
1.3 W
- R(DS)(on)
50 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
4.3 A
- R(DS)(on) reference-spænding
4.5 V
- U(GS) (th) maks.
0.95 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
15 nC
- Q(G) reference-spænding
5 V
- C(ISS)
830 pF
- C(ISS) reference-spænding
10 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Serie
HEXFET®
- Drifttemperation (max.)
+150 °C
- Transistor-funktion
Logic level gate
- U(DSS)
12 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 162832 Infineon Technologies IRLML6401TRPBF MOSFET 1 P-kanal 1.3 W SOT-23
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 162832 Infineon Technologies IRLML6401TRPBF MOSFET 1 P-kanal 1.3 W SOT-23
Beskrivelse
Bemærk! Dette produkt er blevet maskineoversat.