Infineon Technologies IRF7309PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 1.4 W SO-8
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
SO-8
Variant
N-kanal
P-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
1.4 W
R(DS)(on)
0.16 Ω
Datablad (PDF)
18 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
3
-
3,74970 kr.
9
8% = 0,30 kr.
3,44785 kr.
15
11% = 0,42 kr.
3,32710 kr.
30
13% = 0,50 kr.
3,24686 kr.
60
16% = 0,59 kr.
3,15612 kr.
120
19% = 0,69 kr.
3,05562 kr.
300
21% = 0,80 kr.
2,94501 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 3
Total (3,7497 kr. / stk.r)
11,25 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRF7309PBF-GURT
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
SO-8
- Producent
Infineon Technologies
- Variant
N-kanal
P-kanal
- I(d)
4 A
- U
30 V
- Ydelse (max) P(TOT)
1.4 W
- R(DS)(on)
0.16 Ω
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Kanaler
2
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 3026239 Infineon Technologies IRF7309PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 1.4 W SO-8
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 3026239 Infineon Technologies IRF7309PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 1.4 W SO-8