Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 P-kanal 3.8 W TO-263-3
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-263-3
Variant
P-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
3.8 W
R(DS)(on)
60 mΩ
Datablad (PDF)
605 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
1
-
12,72 kr.
10
8% = 1,02 kr.
11,70 kr.
25
11% = 1,43 kr.
11,29 kr.
50
13% = 1,70 kr.
11,02 kr.
100
16% = 2,02 kr.
10,70 kr.
250
18% = 2,35 kr.
10,37 kr.
500
21% = 2,73 kr.
9,99 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Total (12,72 kr. / stk.r)
12,72 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
Power MOSFET, P-kanal
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRF5305
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
TO-263-3
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
P-kanal
- I(d)
31 A
- U
55 V
- Ydelse (max) P(TOT)
3.8 W
- R(DS)(on)
60 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
16 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
4 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
63 nC
- Q(G) reference-spænding
10 V
- C(ISS)
1200 pF
- C(ISS) reference-spænding
25 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Serie
HEXFET®
- Drifttemperation (max.)
+175 °C
- Transistor-funktion
Standard
- U(DSS)
55 V
- Kanaler
1
- RoHS-godkendt
Ja
- Indhold
1 stk
- Variant
P-kanal
- Type
IRF 5305
- Beskrivelse
-55 V/-31A;
- Kabinet
TO 220
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 162408 Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 P-kanal 3.8 W TO-263-3
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 162408 Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 P-kanal 3.8 W TO-263-3