Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 P-kanal 200 W TO-220
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-220
Variant
P-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
60 mΩ
Datablad (PDF)
176 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
1
-
20,72 kr.
10
7% = 1,55 kr.
19,17 kr.
25
10% = 2,17 kr.
18,55 kr.
50
12% = 2,58 kr.
18,14 kr.
100
15% = 3,05 kr.
17,67 kr.
250
17% = 3,57 kr.
17,15 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Total (20,72 kr. / stk.r)
20,72 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
Power MOSFET, P-kanal
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRF5210PBF
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
TO-220
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
P-kanal
- I(d)
40 A
- U
100 V
- Ydelse (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
60 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
24 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
4 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
180 nC
- Q(G) reference-spænding
10 V
- C(ISS)
2700 pF
- C(ISS) reference-spænding
25 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Serie
HEXFET®
- Drifttemperation (max.)
+175 °C
- Transistor-funktion
Standard
- U(DSS)
100 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 162406 Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 P-kanal 200 W TO-220
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 162406 Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 P-kanal 200 W TO-220
Beskrivelse
Bemærk! Dette produkt er blevet maskineoversat.