Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Emballage-type
Tape on Full reel
Produkttype
MOSFET
Kabinet
SOIC-8
Variant
N-kanal
P-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
1.78 W
Datablad (PDF)
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
50
-
5,93670 kr.
150
8% = 0,48 kr.
5,45879 kr.
250
11% = 0,67 kr.
5,26763 kr.
500
13% = 0,80 kr.
5,14058 kr.
1000
16% = 0,94 kr.
4,99692 kr.
2000
19% = 1,10 kr.
4,83782 kr.
5000
21% = 1,27 kr.
4,66268 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 50
Intervaller: 50
Tape on Full reel
stk. (Indhold: )
stk. (Indhold: )
Total (5,9367 kr. / stk.r)
296,84 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Emballage-type
Tape on Full reel
- Type
SI4532CDY-T1-GE3
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
SOIC-8
- Producent
Vishay
- Variant
N-kanal
P-kanal
- I(d)
6 A
- U
30 V
- Ydelse (max) P(TOT)
1.78 W
- R(DS)(on)
0.14 Ω
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Drifttemperation (max.)
150 °C
- Kanaler
2
- Indhold
1 stk
- H
0.00 mm
- L
0 mm
- Bredde
0.00 mm
- Vægt
0
- UKCA
Ja
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 3026546 Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 3026546 Vishay SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 1.78 W SOIC-8 Tape on Full reel