Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT MOSFET 1 P-kanal 66 W TO-252AA
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-252AA
Variant
P-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
66 W
R(DS)(on)
0.205 Ω
Datablad (PDF)
3750 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
50
-
7,11937 kr.
150
8% = 0,57 kr.
6,54626 kr.
250
11% = 0,80 kr.
6,31702 kr.
500
13% = 0,95 kr.
6,16466 kr.
1000
16% = 1,13 kr.
5,99238 kr.
2000
19% = 1,32 kr.
5,80158 kr.
5000
21% = 1,53 kr.
5,59155 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 50
Intervaller: 50
Total (7,11937 kr. / stk.r)
355,97 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRFR5410PBF-GURT
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
TO-252AA
- Producent
Infineon Technologies
- Variant
P-kanal
- I(d)
-13 A
- U
-100 V
- Ydelse (max) P(TOT)
66 W
- R(DS)(on)
0.205 Ω
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
- UKCA
Ja
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 3026279 Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT MOSFET 1 P-kanal 66 W TO-252AA
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 3026279 Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT MOSFET 1 P-kanal 66 W TO-252AA