Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
SO-8
Variant
N-kanal
P-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.17 Ω
Datablad (PDF)
7 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
3
-
3,90146 kr.
9
8% = 0,31 kr.
3,58740 kr.
15
11% = 0,44 kr.
3,46177 kr.
30
13% = 0,52 kr.
3,37828 kr.
60
16% = 0,62 kr.
3,28386 kr.
120
19% = 0,72 kr.
3,17930 kr.
300
21% = 0,84 kr.
3,06421 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 3
Total (3,90146 kr. / stk.r)
11,70 kr.
ekskl. moms
Kun 7 stk. tilbage på lager
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRF7343PBF-GURT
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
SO-8
- Producent
Infineon Technologies
- Variant
N-kanal
P-kanal
- I(d)
4.7 A
- U
55 V
- Ydelse (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.17 Ω
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Kanaler
2
- Indhold
1 stk
- UKCA
Ja
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 3026247 Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 3026247 Infineon Technologies IRF7343PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8