Infineon Technologies IRF7319PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
SO-8
Variant
N-kanal
P-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.098 Ω
Datablad (PDF)
53 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
1
-
7,08765 kr.
10
8% = 0,57 kr.
6,51710 kr.
25
11% = 0,80 kr.
6,28887 kr.
50
13% = 0,95 kr.
6,13719 kr.
100
16% = 1,12 kr.
5,96567 kr.
250
19% = 1,31 kr.
5,77573 kr.
500
21% = 1,52 kr.
5,56664 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Total (7,08765 kr. / stk.r)
7,09 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRF7319PBF-GURT
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
SO-8
- Producent
Infineon Technologies
- Variant
N-kanal
P-kanal
- I(d)
6.5 A
- U
30 V
- Ydelse (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.098 Ω
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Kanaler
2
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 3026243 Infineon Technologies IRF7319PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 3026243 Infineon Technologies IRF7319PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8