Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
SO-8
Variant
N-kanal
P-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.4 Ω
Datablad (PDF)
6600 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
50
-
3,75131 kr.
150
8% = 0,30 kr.
3,44933 kr.
250
11% = 0,42 kr.
3,32854 kr.
500
13% = 0,50 kr.
3,24826 kr.
1000
16% = 0,59 kr.
3,15748 kr.
2000
19% = 0,69 kr.
3,05694 kr.
5000
21% = 0,81 kr.
2,94628 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 50
Intervaller: 50
Total (3,75131 kr. / stk.r)
187,57 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRF7105PBF-GURT
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
SO-8
- Producent
Infineon Technologies
- Variant
N-kanal
P-kanal
- I(d)
3.5 A
- U
25 V
- Ydelse (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.4 Ω
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Kanaler
2
- Indhold
1 stk
- UKCA
Ja
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 3026354 Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 3026354 Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8