• Platform for Everything Technical
  • Hurtig levering
  • Ekspertise siden 1923
  • 30 dages returret
Start
Komponenter – aktiveHalvlederFelteffekttransistorerMOSFETS

Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8

Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8-0
Produkttype
MOSFET
Kabinet
SO-8
Variant
N-kanal
P-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.4 Ω
Datablad (PDF)
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Levering tirs. 10. nov.
6600 stk.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 50
Intervaller: 50
Total (4,68914 kr. / stk.r)
4,69 kr.
prav.tax.untaxed inkl. moms 
ekskl. 69,00 kr. 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
Uden yderligere fragtomkostninger 
30 dages returret
Rapporter juridiske bekymringer

Højdepunkter og detaljer

MOSFET

Vigtig information

Tekniske specifikationer

Type

IRF7105PBF-GURT

Produkttype

MOSFET

Kabinet

SO-8

Producent

Infineon Technologies

Variant

N-kanal

P-kanal

I(d)

3.5 A

U

25 V

Ydelse (max) P(TOT)

2.0 W

R(DS)(on)

0.4 Ω

Monteringsmåde

Overflademontage

Kanaler

2

Indhold

1 stk

UKCA

Ja

Dokumenter og downloads

Datablad

Datablad 3026354 Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8

Instruktioner for brug og sikkerhed

Instruktioner for brug og sikkerhed 3026354 Infineon Technologies IRF7105PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal, P-kanal 2.0 W SO-8

Hvilken type MOSFETS leder du efter?

tilbehør

(*Alle priser er ekskl. moms)

Det nødvendige tilbehør er nødvendigt for at kunne bruge den beskrevne vare

Flere interessante produkter

(*Alle priser er ekskl. moms)