Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 110 W D2PAK
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
D2PAK
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
0.0084 Ω
Datablad (PDF)
10 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
10
-
8,72 kr.
30
8% = 0,70 kr.
8,02 kr.
50
11% = 0,98 kr.
7,74 kr.
100
13% = 1,17 kr.
7,55 kr.
200
16% = 1,38 kr.
7,34 kr.
400
19% = 1,62 kr.
7,10 kr.
1000
21% = 1,87 kr.
6,85 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 10
Total (8,72 kr. / stk.r)
87,20 kr.
ekskl. moms
Kun 10 stk. tilbage på lager
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRF1018ESPBF-GURT
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
D2PAK
- Producent
Infineon Technologies
- Variant
N-kanal
- I(d)
79 A
- U
60 V
- Ydelse (max) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
0.0084 Ω
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 3026220 Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 110 W D2PAK
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 3026220 Infineon Technologies IRF1018ESPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 110 W D2PAK