Lignende billede
Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-220
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-220
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
12 mΩ
Datablad (PDF)
415 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
3
-
10,32 kr.
9
8% = 7,47 kr.
9,49 kr.
15
11% = 17,40 kr.
9,16 kr.
30
13% = 41,40 kr.
8,94 kr.
60
16% = 97,80 kr.
8,69 kr.
120
19% = 229,20 kr.
8,41 kr.
300
22% = 666,00 kr.
8,10 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 3
Total (10,32 kr. / stk.r)
30,96 kr.
ekskl. moms
30 dages returret
Højdepunkter og detaljer
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRF1010E
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
TO-220
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
N-kanal
- I(d)
84 A
- U
60 V
- Ydelse (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
12 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
50 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
4 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
130 nC
- Q(G) reference-spænding
10 V
- C(ISS)
3210 pF
- C(ISS) reference-spænding
25 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Serie
HEXFET®
- Drifttemperation (max.)
+175 °C
- Transistor-funktion
Standard
- U(DSS)
60 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
- Variant
N-kanal
- Type
IRF 1010 E
- Beskrivelse
60 V/81 A;
- Kabinet
TO 220
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 162358 Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-220
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 162358 Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-220
Købes ofte sammen
(*Alle priser er ekskl. moms) denne artikel
Conrad Electronic
30,96 kr.*
20,10 kr.*
Total beløb:
51,06 kr.*
Hvilken type MOSFETS leder du efter?
tilbehør
(*Alle priser er ekskl. moms)Det nødvendige tilbehør er nødvendigt for at kunne bruge den beskrevne vare
4,02 kr.*
Flere interessante produkter
(*Alle priser er ekskl. moms)
Conrad Electronic
4,78623 kr.*
