Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 2.0 W SO-8
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
SO-8
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.0155 Ω
Datablad (PDF)
21 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
3
-
6,83194 kr.
9
8% = 4,95 kr.
6,28197 kr.
15
11% = 11,55 kr.
6,06198 kr.
30
13% = 27,48 kr.
5,91578 kr.
60
16% = 64,89 kr.
5,75044 kr.
120
19% = 151,75 kr.
5,56734 kr.
300
21% = 439,84 kr.
5,36580 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 3
Intervaller: 1
Total (6,83194 kr. / stk.r)
20,50 kr.
ekskl. moms
30 dages returret
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRF8313PBF-GURT
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
SO-8
- Producent
Infineon Technologies
- Variant
N-kanal
- I(d)
9.7 A
- U
30 V
- Ydelse (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.0155 Ω
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 3026258 Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 2.0 W SO-8
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 3026258 Infineon Technologies IRF8313PBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 2.0 W SO-8
Hvilken type MOSFETS leder du efter?
tilbehør
(*Alle priser er ekskl. moms)Det nødvendige tilbehør er nødvendigt for at kunne bruge den beskrevne vare
4,02 kr.*
Flere interessante produkter
(*Alle priser er ekskl. moms)
Conrad Electronic
4,78623 kr.*
