Lignende billede
Lignende billede
STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE3055T TO-220AB Antal kanaler 1 NPN
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
Transistor (BJT) - diskret
Kabinet
TO-220AB
Variant
NPN
Collector-strøm I(C)
10 A
Kollektor-emitter spænding U(CEO)
60 V
Datablad (PDF)
436 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
3
-
5,96 kr.
9
8% = 0,48 kr.
5,48 kr.
15
11% = 0,67 kr.
5,29 kr.
30
13% = 0,80 kr.
5,16 kr.
60
16% = 0,94 kr.
5,02 kr.
120
18% = 1,10 kr.
4,86 kr.
300
21% = 1,28 kr.
4,68 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 3
Total (5,96 kr. / stk.r)
17,88 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
Effekt-skiftetransistor
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
MJE3055T
- Produkttype
Transistor (BJT) - diskret
- Kabinet
TO-220AB
- Producent
STMicroelectronics
- Producent-forkortelse
STM
- Kanaler
1
- Variant
NPN
- Collector-strøm I(C)
10 A
- Kollektor-emitter spænding U(CEO)
60 V
- VCE mætning (maks.)
8 V
- Kollektor reststrøm i(CES)
700 µA
- Ydelse (max) P(TOT)
75 W
- DC strømforstærkning (hFE)
20
- DC strømforstærkning hFE - referencestrøm
4 A
- DC strømforstærkning hFE - referencespænding
4 V
- Transitfrekvens f(T)
2 MHz
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 150931 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE3055T TO-220AB Antal kanaler 1 NPN
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 150931 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret MJE3055T TO-220AB Antal kanaler 1 NPN