Lignende billede
Lignende billede
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE13007G TO-220AB Antal kanaler 1 NPN
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
Transistor (BJT) - diskret
Kabinet
TO-220AB
Variant
NPN
Collector-strøm I(C)
8 A
Kollektor-emitter spænding U(CEO)
400 V
6 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
3
-
15,92 kr.
9
7% = 1,19 kr.
14,73 kr.
15
10% = 1,67 kr.
14,25 kr.
30
12% = 1,98 kr.
13,94 kr.
60
15% = 2,34 kr.
13,58 kr.
120
17% = 2,74 kr.
13,18 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 3
Total (15,92 kr. / stk.r)
47,76 kr.
ekskl. moms
Kun 6 stk. tilbage på lager
Højdepunkter og detaljer
Effekt-skiftetransistor
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
MJE13007G
- Produkttype
Transistor (BJT) - diskret
- Kabinet
TO-220AB
- Producent
ON Semiconductor
- Producent-forkortelse
OnS
- Kanaler
1
- Variant
NPN
- Collector-strøm I(C)
8 A
- Kollektor-emitter spænding U(CEO)
400 V
- VCE mætning (maks.)
3 V
- Kollektor reststrøm i(CES)
100 µA
- Ydelse (max) P(TOT)
80 W
- Serie
SWITCHMODE™
- DC strømforstærkning (hFE)
5
- DC strømforstærkning hFE - referencestrøm
5 A
- DC strømforstærkning hFE - referencespænding
5 V
- Transitfrekvens f(T)
14 MHz
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Indhold
1 stk
- Variant
NPN
- Type
MJE 13007
- Kabinet
TO 220 AB
Dokumenter og downloads
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 151208 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE13007G TO-220AB Antal kanaler 1 NPN