Lignende billede
Lignende billede
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE18004G TO-220AB Antal kanaler 1 NPN
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
Transistor (BJT) - diskret
Kabinet
TO-220AB
Variant
NPN
Collector-strøm I(C)
5 A
Kollektor-emitter spænding U(CEO)
450 V
Datablad (PDF)
55 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
1
-
12,72 kr.
10
8% = 1,02 kr.
11,70 kr.
25
11% = 1,43 kr.
11,29 kr.
50
13% = 1,70 kr.
11,02 kr.
100
16% = 2,02 kr.
10,70 kr.
250
18% = 2,35 kr.
10,37 kr.
500
21% = 2,73 kr.
9,99 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Total (12,72 kr. / stk.r)
12,72 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
Effekt-skiftetransistor
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
MJE18004G
- Produkttype
Transistor (BJT) - diskret
- Kabinet
TO-220AB
- Producent
ON Semiconductor
- Producent-forkortelse
OnS
- Kanaler
1
- Variant
NPN
- Collector-strøm I(C)
5 A
- Kollektor-emitter spænding U(CEO)
450 V
- VCE mætning (maks.)
750 mV
- Kollektor reststrøm i(CES)
100 µA
- Ydelse (max) P(TOT)
75 W
- Serie
SWITCHMODE™
- DC strømforstærkning (hFE)
14
- DC strømforstærkning hFE - referencestrøm
300 mA
- DC strømforstærkning hFE - referencespænding
5 V
- Transitfrekvens f(T)
13 MHz
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 151029 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE18004G TO-220AB Antal kanaler 1 NPN
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 151029 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJE18004G TO-220AB Antal kanaler 1 NPN