• Platform for Everything Technical
  • Hurtig levering
  • Ekspertise siden 1923
  • 30 dages returret

ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11016G TO-3 Antal kanaler 1 NPN - Darlington

Lignende billede
Produkttype
Transistor (BJT) - diskret
Kabinet
TO-3
Variant
NPN - Darlington
Collector-strøm I(C)
30 A
Kollektor-emitter spænding U(CEO)
120 V
Datablad (PDF)
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Levering tors. 5. nov.

103 stk.

Antal
Total (109,00 kr. / stk.r)
109,00 kr.
prav.tax.untaxed inkl. moms 
ekskl. 69,00 kr. 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
Uden yderligere fragtomkostninger 
30 dages returret

Højdepunkter og detaljer

Transistorer

Vigtig information

Tekniske specifikationer

Type

MJ11016G

Produkttype

Transistor (BJT) - diskret

Kabinet

TO-3

Producent

ON Semiconductor

Producent-forkortelse

OnS

Kanaler

1

Variant

NPN - Darlington

Collector-strøm I(C)

30 A

Kollektor-emitter spænding U(CEO)

120 V

VCE mætning (maks.)

4 V

Kollektor reststrøm i(CES)

1 mA

Ydelse (max) P(TOT)

200 W

DC strømforstærkning (hFE)

1000

DC strømforstærkning hFE - referencestrøm

20 A

DC strømforstærkning hFE - referencespænding

5 V

Transitfrekvens f(T)

4 MHz

Monteringsmåde

Gennemgangshul

Indhold

1 stk

Dokumenter og downloads

Datablad

Datablad 151307 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11016G TO-3 Antal kanaler 1 NPN - Darlington

Instruktioner for brug og sikkerhed

Instruktioner for brug og sikkerhed 151307 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11016G TO-3 Antal kanaler 1 NPN - Darlington

Købes ofte sammen

(*Alle priser er ekskl. moms)
Total beløb:

161,95 kr.*

tilbehør

(*Alle priser er ekskl. moms)

Det nødvendige tilbehør er nødvendigt for at kunne bruge den beskrevne vare

Flere interessante produkter

(*Alle priser er ekskl. moms)