Lignende billede
Lignende billede
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11016G TO-3 Antal kanaler 1 NPN - Darlington
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
Transistor (BJT) - diskret
Kabinet
TO-3
Variant
NPN - Darlington
Collector-strøm I(C)
30 A
Kollektor-emitter spænding U(CEO)
120 V
Datablad (PDF)
104 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
1
-
87,20 kr.
3
6% = 4,82 kr.
82,38 kr.
5
8% = 6,76 kr.
80,44 kr.
10
9% = 8,03 kr.
79,17 kr.
25
11% = 9,48 kr.
77,72 kr.
50
13% = 11,08 kr.
76,12 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Total (87,20 kr. / stk.r)
87,20 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
Transistorer
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
MJ11016G
- Produkttype
Transistor (BJT) - diskret
- Kabinet
TO-3
- Producent
ON Semiconductor
- Producent-forkortelse
OnS
- Kanaler
1
- Variant
NPN - Darlington
- Collector-strøm I(C)
30 A
- Kollektor-emitter spænding U(CEO)
120 V
- VCE mætning (maks.)
4 V
- Kollektor reststrøm i(CES)
1 mA
- Ydelse (max) P(TOT)
200 W
- DC strømforstærkning (hFE)
1000
- DC strømforstærkning hFE - referencestrøm
20 A
- DC strømforstærkning hFE - referencespænding
5 V
- Transitfrekvens f(T)
4 MHz
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 151307 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11016G TO-3 Antal kanaler 1 NPN - Darlington
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 151307 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11016G TO-3 Antal kanaler 1 NPN - Darlington