ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11015G TO-3 Antal kanaler 1 PNP - Darlington
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
Transistor (BJT) - diskret
Kabinet
TO-3
Variant
PNP - Darlington
Collector-strøm I(C)
-30 A
Kollektor-emitter spænding U(CEO)
-120 V
Datablad (PDF)
55 stk. (Så længe lager haves)
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
1
-
76,00 kr.
3
6% = 4,20 kr.
71,80 kr.
5
8% = 5,89 kr.
70,11 kr.
10
9% = 7,00 kr.
69,00 kr.
25
11% = 8,26 kr.
67,74 kr.
50
13% = 9,66 kr.
66,34 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Total (76,00 kr. / stk.r)
76,00 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
Darlington transistor
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
MJ11015G
- Produkttype
Transistor (BJT) - diskret
- Kabinet
TO-3
- Producent
ON Semiconductor
- Producent-forkortelse
OnS
- Kanaler
1
- Variant
PNP - Darlington
- Collector-strøm I(C)
-30 A
- Kollektor-emitter spænding U(CEO)
-120 V
- VCE mætning (maks.)
-4 V
- Kollektor reststrøm i(CES)
-1 mA
- Ydelse (max) P(TOT)
200 W
- DC strømforstærkning (hFE)
1000
- DC strømforstærkning hFE - referencestrøm
-20 A
- DC strømforstærkning hFE - referencespænding
-5 V
- Transitfrekvens f(T)
4 MHz
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Indhold
1 stk
- Variant
PNP
- Type
MJ 11015
- Kabinet
TO 204 AA
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 151333 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11015G TO-3 Antal kanaler 1 PNP - Darlington
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 151333 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ11015G TO-3 Antal kanaler 1 PNP - Darlington