Lignende billede
Lignende billede
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD810G TO-220AB Antal kanaler 1 PNP
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
Transistor (BJT) - diskret
Kabinet
TO-220AB
Variant
PNP
Collector-strøm I(C)
-10 A
Kollektor-emitter spænding U(CEO)
-80 V
Datablad (PDF)
182 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
2
-
6,52 kr.
6
8% = 0,53 kr.
5,99 kr.
10
11% = 0,74 kr.
5,78 kr.
20
13% = 0,87 kr.
5,65 kr.
40
16% = 1,03 kr.
5,49 kr.
80
19% = 1,21 kr.
5,31 kr.
200
21% = 1,40 kr.
5,12 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 2
Total (6,52 kr. / stk.r)
13,04 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
Bipolar standard-effekttransistor
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
BD810G
- Produkttype
Transistor (BJT) - diskret
- Kabinet
TO-220AB
- Producent
ON Semiconductor
- Producent-forkortelse
OnS
- Kanaler
1
- Variant
PNP
- Collector-strøm I(C)
-10 A
- Kollektor-emitter spænding U(CEO)
-80 V
- VCE mætning (maks.)
-1.1 V
- Kollektor reststrøm i(CES)
-1 mA
- Ydelse (max) P(TOT)
90 W
- DC strømforstærkning (hFE)
15
- DC strømforstærkning hFE - referencestrøm
-4 A
- DC strømforstærkning hFE - referencespænding
-2 V
- Transitfrekvens f(T)
1.5 MHz
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 156418 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD810G TO-220AB Antal kanaler 1 PNP
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 156418 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD810G TO-220AB Antal kanaler 1 PNP