Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCX70GE6327 SOT-23-3 Antal kanaler 1 NPN Tape cut
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Emballage-type
Tape cut
Produkttype
Transistor (BJT) - diskret
Kabinet
SOT-23-3
Variant
NPN
Collector-strøm I(C)
100 mA
1908 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
50
-
0,38 kr.
150
8% = 0,03 kr.
0,35 kr.
250
11% = 0,04 kr.
0,34 kr.
500
13% = 0,05 kr.
0,33 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 50
Total (0,38 kr. / stk.r)
19,00 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
NF-Transistor
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Emballage-type
Tape cut
- Type
BCX70GE6327
- Produkttype
Transistor (BJT) - diskret
- Kabinet
SOT-23-3
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Kanaler
1
- Variant
NPN
- Collector-strøm I(C)
100 mA
- Kollektor-emitter spænding U(CEO)
45 V
- VCE mætning (maks.)
550 mV
- Kollektor reststrøm i(CES)
20 nA
- Ydelse (max) P(TOT)
330 mW
- DC strømforstærkning (hFE)
120
- DC strømforstærkning hFE - referencestrøm
2 mA
- DC strømforstærkning hFE - referencespænding
5 V
- Transitfrekvens f(T)
250 MHz
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Indhold
1 stk
Beskrivelse
NPN-transistor (8 mm-bånd).