Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV29 SOT-89 Antal kanaler 1 NPN - Darlington
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
Transistor (BJT) - diskret
Kabinet
SOT-89
Variant
NPN - Darlington
Collector-strøm I(C)
500 mA
Kollektor-emitter spænding U(CEO)
30 V
Datablad (PDF)
358 stk. (Så længe lager haves)
Antal
Total (0,81 kr. / stk.r)
0,81 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
Transistorer
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
BCV29
- Produkttype
Transistor (BJT) - diskret
- Kabinet
SOT-89
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Kanaler
1
- Variant
NPN - Darlington
- Collector-strøm I(C)
500 mA
- Kollektor-emitter spænding U(CEO)
30 V
- VCE mætning (maks.)
1 V
- Kollektor reststrøm i(CES)
100 nA
- Ydelse (max) P(TOT)
1 W
- DC strømforstærkning (hFE)
20000
- DC strømforstærkning hFE - referencestrøm
100 mA
- DC strømforstærkning hFE - referencespænding
5 V
- Transitfrekvens f(T)
150 MHz
- Monteringsmåde
Overflademontage
- RoHS-godkendt
Ja
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 152949 Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV29 SOT-89 Antal kanaler 1 NPN - Darlington
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 152949 Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BCV29 SOT-89 Antal kanaler 1 NPN - Darlington
Beskrivelse
NPN-Darlington-transistor (12 mm-bånd).
OBS! Denne produktbeskrivelse er endnu ikke blevet oversat til dansk af vores oversættere. Derfor er teksten maskineoversat fra den tyske originaltekst.
OBS! Denne produktbeskrivelse er endnu ikke blevet oversat til dansk af vores oversættere. Derfor er teksten maskineoversat fra den tyske originaltekst.