Lignende billede
1/2
Lignende billede
Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC817K-40E6327 SOT-23-3 Antal kanaler 1 NPN Tape cut
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Emballage-type
Tape cut
Produkttype
Transistor (BJT) - diskret
Kabinet
SOT-23-3
Variant
NPN
Collector-strøm I(C)
500 mA
Datablad (PDF)
4175 stk. (Så længe lager haves)
Antal
Total (0,37 kr. / stk.r)
0,37 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
NF-transistor
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Emballage-type
Tape cut
- Type
BC817K-40E6327
- Produkttype
Transistor (BJT) - diskret
- Kabinet
SOT-23-3
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Kanaler
1
- Variant
NPN
- Collector-strøm I(C)
500 mA
- Kollektor-emitter spænding U(CEO)
45 V
- VCE mætning (maks.)
700 mV
- Kollektor reststrøm i(CES)
100 nA
- Ydelse (max) P(TOT)
330 mW
- DC strømforstærkning (hFE)
250
- DC strømforstærkning hFE - referencestrøm
100 mA
- DC strømforstærkning hFE - referencespænding
1 V
- Transitfrekvens f(T)
170 MHz
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 153076 Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC817K-40E6327 SOT-23-3 Antal kanaler 1 NPN Tape cut
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 153076 Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC817K-40E6327 SOT-23-3 Antal kanaler 1 NPN Tape cut
Beskrivelse
PNP-transistor