• Platform for Everything Technical
  • Hurtig levering
  • Ekspertise siden 1923
  • Returret t.o.m. 29. jan
Start
Komponenter – aktiveHalvlederFelteffekttransistorerMOSFETS

Infineon Technologies IRL2910PBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-220

To elektroniske, sorte, rektangulære komponenter med hver tre tilslutningsstifter placeret ved siden af hinanden, sandsynligvis transistorer.
Lignende billede
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-220
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
26 mΩ
Datablad (PDF)
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Udgået
Total (21,90 kr. / stk.r)
23,90 kr.
-8 %
21,90 kr.
prav.tax.untaxed inkl. moms 
ekskl. 74,95 kr. 
prav.priceAvailability.ecoparticipation.cost ...
prav.priceAvailability.privatecopyingfee.cost ...
Uden yderligere fragtomkostninger 
30 dages returret
Rapporter juridiske bekymringer

Højdepunkter og detaljer

MOSFET

Vigtig information

Tekniske specifikationer

Type

IRL2910PBF

Produkttype

MOSFET

Kabinet

TO-220

Producent

Infineon Technologies

Producent-forkortelse

INF

Variant

N-kanal

I(d)

55 A

U

100 V

Ydelse (max) P(TOT)

200 W

R(DS)(on)

26 mΩ

R(DS)(on) reference-strøm

29 A

R(DS)(on) reference-spænding

10 V

U(GS) (th) maks.

2 V

U(GS) (th) reference-strøm maks.

250 µA

Q(G)

140 nC

Q(G) reference-spænding

5 V

C(ISS)

3700 pF

C(ISS) reference-spænding

25 V

Driftstemperatur (min.)

-55 °C

Monteringsmåde

Gennemgangshul

Serie

HEXFET®

Drifttemperation (max.)

+175 °C

Transistor-funktion

Logic level gate

U(DSS)

100 V

Kanaler

1

Indhold

1 stk

Variant

HEXFET

Dokumenter og downloads

Datablad

Datablad 162767 Infineon Technologies IRL2910PBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-220

Instruktioner for brug og sikkerhed

Instruktioner for brug og sikkerhed 162767 Infineon Technologies IRL2910PBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-220

Beskrivelse

Bemærk! Dette produkt er blevet maskineoversat.

Hvilken type MOSFETS leder du efter?

tilbehør

(*Alle priser er ekskl. moms)

Det nødvendige tilbehør er nødvendigt for at kunne bruge den beskrevne vare