Lignende billede
Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 N-kanal 1.3 W DIP-4
Produkttype
MOSFET
Kabinet
DIP-4
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
1.3 W
R(DS)(on)
540 mΩ
Datablad (PDF)
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Total (4,29 kr. / stk.r)
4,75 kr.
-10 %
4,29 kr.
inkl. moms
30 dages returret
Højdepunkter og detaljer
MOSFET (HEXFET)
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRFD110PBF
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
DIP-4
- Producent
Vishay
- Producent-forkortelse
VIS
- Variant
N-kanal
- I(d)
1 A
- U
100 V
- Ydelse (max) P(TOT)
1.3 W
- R(DS)(on)
540 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
600 mA
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
4 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
8.3 nC
- Q(G) reference-spænding
10 V
- C(ISS)
180 pF
- C(ISS) reference-spænding
25 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Drifttemperation (max.)
+175 °C
- Transistor-funktion
Standard
- U(DSS)
100 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 162582 Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 N-kanal 1.3 W DIP-4
Datablad 162582 Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 N-kanal 1.3 W DIP-4
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 162582 Vishay IRFD110PBF MOSFET 1 N-kanal 1.3 W DIP-4
Beskrivelse
Bemærk! Dette produkt er blevet maskineoversat.
Hvilken type MOSFETS leder du efter?
tilbehør
(*Alle priser er ekskl. moms)Det nødvendige tilbehør er nødvendigt for at kunne bruge den beskrevne vare
5,03 kr.*