Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies FP35R12W2T4BOMA1 IGBT - modul 1200 V Bulk
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Emballage-type
Bulk
Produkttype
IGBT - modul
Collector-strøm I(C)
54 A
Monteringsmåde
Chassis
Type
FP35R12W2T4BOMA1
Datablad (PDF)
8 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
1
-
472,00 kr.
3
3% = 13,07 kr.
458,93 kr.
5
4% = 18,31 kr.
453,69 kr.
10
5% = 21,81 kr.
450,19 kr.
25
5% = 25,72 kr.
446,28 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Total (472,00 kr. / stk.r)
472,00 kr.
ekskl. moms
Kun 8 stk. tilbage på lager
Højdepunkter og detaljer
IGBT'er
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- (UGE(th) gate emitter svellespænding: 5,8 V.
- (ICPults) pulserende kollektor- strøm: 70 A.
- Emballage-type
Bulk
- Type
FP35R12W2T4BOMA1
- Produkttype
IGBT - modul
- Producent
Infineon Technologies
- Kollektor-emitter-spærrespænding U(CES)
1200 V
- Collector-strøm I(C)
54 A
- On-forsinkelse t(d) (on)
25 ns
- OFF-forsinkelse t(d) (off) (2)
240 ns
- Monteringsmåde
Chassis
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 3027163 Infineon Technologies FP35R12W2T4BOMA1 IGBT - modul 1200 V Bulk
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 3027163 Infineon Technologies FP35R12W2T4BOMA1 IGBT - modul 1200 V Bulk