Lignende billede
Lignende billede
Vishay SI4948BEY-T1-E3 MOSFET 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
SOIC-8
Variant
P-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
1.4 W
R(DS)(on)
120 mΩ
Datablad (PDF)
2464 stk. (Så længe lager haves)
Antal
Total (2,18 kr. / stk.r)
15,92 kr.
-86 %
2,18 kr.
ekskl. moms
30 dages returret
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
SI4948BEY-T1-E3
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
SOIC-8
- Producent
Vishay
- Producent-forkortelse
VIS
- Variant
P-kanal
- I(d)
2.4 A
- U
60 V
- Ydelse (max) P(TOT)
1.4 W
- R(DS)(on)
120 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
3.1 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
3 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
22 nC
- Q(G) reference-spænding
10 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Serie
TrenchFET®
- Drifttemperation (max.)
+175 °C
- Transistor-funktion
Logic level gate
- U(DSS)
60 V
- Kanaler
2
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 597348 Vishay SI4948BEY-T1-E3 MOSFET 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 597348 Vishay SI4948BEY-T1-E3 MOSFET 2 P-kanal 1.4 W SOIC-8