Lignende billede
Lignende billede
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD809 TO-220AB Antal kanaler 1 NPN
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
Transistor (BJT) - diskret
Kabinet
TO-220AB
Variant
NPN
Collector-strøm I(C)
10 A
Kollektor-emitter spænding U(CEO)
80 V
Datablad (PDF)
10 stk. (Så længe lager haves)
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
3
-
8,72 kr.
9
8% = 0,70 kr.
8,02 kr.
15
11% = 0,98 kr.
7,74 kr.
30
13% = 1,17 kr.
7,55 kr.
60
16% = 1,38 kr.
7,34 kr.
120
19% = 1,62 kr.
7,10 kr.
300
21% = 1,87 kr.
6,85 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 3
Total (8,72 kr. / stk.r)
26,16 kr.
ekskl. moms
Kun 10 stk. tilbage på lager
Højdepunkter og detaljer
Bipolar standard-effekttransistor
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
BD809
- Produkttype
Transistor (BJT) - diskret
- Kabinet
TO-220AB
- Producent
ON Semiconductor
- Kanaler
1
- Variant
NPN
- Collector-strøm I(C)
10 A
- Kollektor-emitter spænding U(CEO)
80 V
- VCE mætning (maks.)
1.1 V
- Kollektor reststrøm i(CES)
1 mA
- Ydelse (max) P(TOT)
90 W
- DC strømforstærkning (hFE)
15
- DC strømforstærkning hFE - referencestrøm
4 A
- DC strømforstærkning hFE - referencespænding
2 V
- Transitfrekvens f(T)
1.5 MHz
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 156400 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD809 TO-220AB Antal kanaler 1 NPN
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 156400 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD809 TO-220AB Antal kanaler 1 NPN