1/2
Lignende billede
MD Micro Detectors Sensor Induktiv V3T1/S0-3A8F V3T1/S0-3A8F N-kanal MOSFET
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
Sensor
Driftsspænding maks.
120 V/AC
120 V/DC
Koblingsafstand (max.)
12 mm
Udgange
N-kanal MOSFET
Variant
Induktiv
Datablad (PDF)
1 stk.
Antal
Total (552,00 kr. / stk.r)
552,00 kr.
ekskl. moms
Kun 1 stk. tilbage på lager
Højdepunkter og detaljer
Kapacitive - Nærhedsafbryder
Tekniske specifikationer
- Vægt: 170 g
- godkendelser: CULus
- nominel impulsbredde Sn:12 mm
- udgangstype: MOSFET
- belastningsstrøm: 5…140 mA(Vac) - 5…200 mA (VDC)
- Produkttype
Sensor
- Type
V3T1/S0-3A8F
- Min. driftsspænding
20 V/AC
20 V/DC
- Driftsspænding maks.
120 V/AC
120 V/DC
- Driftsspænding
20, 20 - 120, 120 V/AC, V/DC
- Koblingsafstand (max.)
12 mm
- Udgange
N-kanal MOSFET
- Variant
Induktiv
- Tilslutning
Kabel, åben ende
- Kabellængde
2.00 m
IP67
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 2273229 MD Micro Detectors Sensor Induktiv V3T1/S0-3A8F V3T1/S0-3A8F N-kanal MOSFET
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 2273229 MD Micro Detectors Sensor Induktiv V3T1/S0-3A8F V3T1/S0-3A8F N-kanal MOSFET
Overensstemmelseserklæring
Overensstemmelseserklæring 2273229 MD Micro Detectors Sensor Induktiv V3T1/S0-3A8F V3T1/S0-3A8F N-kanal MOSFET