Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies IRLML2060TRPBF MOSFET 1 N-kanal 1.25 W SOT-23
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
SOT-23
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
1.25 W
R(DS)(on)
480 mΩ
Datablad (PDF)
11200 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
100
-
0,97 kr.
300
9% = 0,09 kr.
0,88 kr.
500
12% = 0,12 kr.
0,85 kr.
1000
15% = 0,15 kr.
0,82 kr.
2000
19% = 0,18 kr.
0,79 kr.
4000
21% = 0,20 kr.
0,77 kr.
10000
24% = 0,23 kr.
0,74 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 100
Intervaller: 100
Total (0,97 kr. / stk.r)
97,00 kr.
ekskl. moms
30 dages returret
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRLML2060TRPBF
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
SOT-23
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
N-kanal
- I(d)
1.2 A
- U
60 V
- Ydelse (max) P(TOT)
1.25 W
- R(DS)(on)
480 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
1.2 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
2.5 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
25 µA
- Q(G)
0.67 nC
- Q(G) reference-spænding
4.5 V
- C(ISS)
64 pF
- C(ISS) reference-spænding
25 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Serie
HEXFET®
- Drifttemperation (max.)
+150 °C
- Transistor-funktion
Standard
- U(DSS)
60 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 161185 Infineon Technologies IRLML2060TRPBF MOSFET 1 N-kanal 1.25 W SOT-23
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 161185 Infineon Technologies IRLML2060TRPBF MOSFET 1 N-kanal 1.25 W SOT-23