Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies IRLB4030PBF MOSFET 1 N-kanal 370 W TO-220AB
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-220AB
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
370 W
R(DS)(on)
4.3 mΩ
Datablad (PDF)
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRLB4030PBF
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
TO-220AB
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
N-kanal
- I(d)
180 A
- U
100 V
- Ydelse (max) P(TOT)
370 W
- R(DS)(on)
4.3 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
110 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
2.5 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
130 nC
- Q(G) reference-spænding
4.5 V
- C(ISS)
11360 pF
- C(ISS) reference-spænding
50 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Serie
HEXFET®
- Drifttemperation (max.)
+175 °C
- Transistor-funktion
Logic level gate
- U(DSS)
100 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 161165 Infineon Technologies IRLB4030PBF MOSFET 1 N-kanal 370 W TO-220AB
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 161165 Infineon Technologies IRLB4030PBF MOSFET 1 N-kanal 370 W TO-220AB