Infineon Technologies IRL2910SPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 200 W D2PAK
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
D2PAK
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
0.04 Ω
Datablad (PDF)
1900 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
10
-
13,52 kr.
30
7% = 1,01 kr.
12,51 kr.
50
11% = 1,42 kr.
12,10 kr.
100
12% = 1,69 kr.
11,83 kr.
200
15% = 1,99 kr.
11,53 kr.
400
17% = 2,33 kr.
11,19 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 10
Intervaller: 10
Total (13,52 kr. / stk.r)
135,20 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRL2910SPBF-GURT
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
D2PAK
- Producent
Infineon Technologies
- Variant
N-kanal
- I(d)
55 A
- U
100 V
- Ydelse (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
0.04 Ω
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 3026424 Infineon Technologies IRL2910SPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 200 W D2PAK
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 3026424 Infineon Technologies IRL2910SPBF-GURT MOSFET 1 N-kanal 200 W D2PAK