Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies IRFP90N20DPBF MOSFET 1 N-kanal 580 W TO-247-3
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-247-3
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
580 W
R(DS)(on)
23 mΩ
Datablad (PDF)
110 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
5
-
37,52 kr.
15
6% = 2,28 kr.
35,24 kr.
25
9% = 3,19 kr.
34,33 kr.
50
10% = 3,81 kr.
33,71 kr.
100
12% = 4,49 kr.
33,03 kr.
200
14% = 5,25 kr.
32,27 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 5
Intervaller: 5
Total (37,52 kr. / stk.r)
187,60 kr.
ekskl. moms
30 dages returret
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRFP90N20DPBF
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
TO-247-3
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
N-kanal
- I(d)
94 A
- U
200 V
- Ydelse (max) P(TOT)
580 W
- R(DS)(on)
23 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
56 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
5 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
270 nC
- Q(G) reference-spænding
10 V
- C(ISS)
6040 pF
- C(ISS) reference-spænding
25 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Serie
HEXFET®
- Drifttemperation (max.)
+175 °C
- Transistor-funktion
Standard
- U(DSS)
200 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 564074 Infineon Technologies IRFP90N20DPBF MOSFET 1 N-kanal 580 W TO-247-3
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 564074 Infineon Technologies IRFP90N20DPBF MOSFET 1 N-kanal 580 W TO-247-3