Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies IRFP4468PBF MOSFET 1 N-kanal 520 W TO-247AC
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-247AC
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
520 W
R(DS)(on)
2.6 mΩ
Datablad (PDF)
15 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
1
-
111,20 kr.
3
5% = 5,51 kr.
105,69 kr.
5
7% = 7,72 kr.
103,48 kr.
10
8% = 9,20 kr.
102,00 kr.
25
10% = 10,84 kr.
100,36 kr.
50
11% = 12,69 kr.
98,51 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Total (111,20 kr. / stk.r)
111,20 kr.
ekskl. moms
30 dages returret
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRFP4468PBF
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
TO-247AC
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
N-kanal
- I(d)
195 A
- U
100 V
- Ydelse (max) P(TOT)
520 W
- R(DS)(on)
2.6 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
180 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
4 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
540 nC
- Q(G) reference-spænding
10 V
- C(ISS)
19860 pF
- C(ISS) reference-spænding
50 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Serie
HEXFET®
- Drifttemperation (max.)
+175 °C
- Transistor-funktion
Standard
- U(DSS)
100 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 161038 Infineon Technologies IRFP4468PBF MOSFET 1 N-kanal 520 W TO-247AC
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 161038 Infineon Technologies IRFP4468PBF MOSFET 1 N-kanal 520 W TO-247AC