Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-kanal 190 W TO-220AB
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-220AB
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
190 W
R(DS)(on)
14 mΩ
Datablad (PDF)
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRFB4610PBF
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
TO-220AB
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
N-kanal
- I(d)
73 A
- U
100 V
- Ydelse (max) P(TOT)
190 W
- R(DS)(on)
14 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
44 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
4 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
100 µA
- Q(G)
140 nC
- Q(G) reference-spænding
10 V
- C(ISS)
3550 pF
- C(ISS) reference-spænding
50 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Serie
HEXFET®
- Drifttemperation (max.)
+175 °C
- Transistor-funktion
Standard
- U(DSS)
100 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 160947 Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-kanal 190 W TO-220AB
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 160947 Infineon Technologies IRFB4610PBF MOSFET 1 N-kanal 190 W TO-220AB