Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies IRF7459 MOSFET 1 N-kanal 2.5 W SO-8
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
SO-8
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
2.5 W
R(DS)(on)
9 mΩ
Datablad (PDF)
58 stk. (Så længe lager haves)
Antal
Total (6,20 kr. / stk.r)
6,20 kr.
ekskl. moms
Højdepunkter og detaljer
MOSFET (HEXFET / FETKY)
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRF7459
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
SO-8
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
N-kanal
- I(d)
12 A
- U
20 V
- Ydelse (max) P(TOT)
2.5 W
- R(DS)(on)
9 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
12 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
2 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
35 nC
- Q(G) reference-spænding
4.5 V
- C(ISS)
2480 pF
- C(ISS) reference-spænding
10 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Serie
HEXFET®
- Drifttemperation (max.)
+150 °C
- Transistor-funktion
Standard
- U(DSS)
20 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
- Variant
HEXFET
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 162484 Infineon Technologies IRF7459 MOSFET 1 N-kanal 2.5 W SO-8
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 162484 Infineon Technologies IRF7459 MOSFET 1 N-kanal 2.5 W SO-8
Beskrivelse
Bemærk! Dette produkt er blevet maskineoversat.