Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal 2.0 W SO-8
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
SO-8
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
2.0 W
R(DS)(on)
0.2 Ω
Datablad (PDF)
43 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
5
-
6,80907 kr.
15
8% = 0,55 kr.
6,26094 kr.
25
11% = 0,77 kr.
6,04169 kr.
50
13% = 0,91 kr.
5,89598 kr.
100
16% = 1,08 kr.
5,73119 kr.
200
19% = 1,26 kr.
5,54871 kr.
500
21% = 1,46 kr.
5,34785 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 5
Total (6,80907 kr. / stk.r)
34,05 kr.
ekskl. moms
30 dages returret
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRF7103PBF-GURT
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
SO-8
- Producent
Infineon Technologies
- Variant
N-kanal
- Ydelse (max) P(TOT)
2.0 W
- R(DS)(on)
0.2 Ω
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Kanaler
2
- Indhold
1 stk
- UKCA
Ja
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 3026234 Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal 2.0 W SO-8
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 3026234 Infineon Technologies IRF7103PBF-GURT MOSFET 2 N-kanal 2.0 W SO-8