Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-kanal 82 W TO-263-3
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-263-3
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
82 W
R(DS)(on)
300 mΩ
Datablad (PDF)
736 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
3
-
4,26 kr.
9
8% = 0,34 kr.
3,92 kr.
15
11% = 0,48 kr.
3,78 kr.
30
13% = 0,56 kr.
3,70 kr.
60
16% = 0,67 kr.
3,59 kr.
120
19% = 0,79 kr.
3,47 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 3
Total (4,26 kr. / stk.r)
12,78 kr.
ekskl. moms
30 dages returret
Højdepunkter og detaljer
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRF630N
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
TO-263-3
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
N-kanal
- I(d)
9.3 A
- U
200 V
- Ydelse (max) P(TOT)
82 W
- R(DS)(on)
300 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
5.4 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
4 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
35 nC
- Q(G) reference-spænding
10 V
- C(ISS)
575 pF
- C(ISS) reference-spænding
25 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Overflademontage
- Serie
HEXFET®
- Drifttemperation (max.)
+175 °C
- Transistor-funktion
Standard
- U(DSS)
200 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
- Variant
N-kanal
- Type
IRF 630 N
- Beskrivelse
200 V/9,3A;
- Kabinet
TO 220
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 162421 Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-kanal 82 W TO-263-3
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 162421 Infineon Technologies IRF630N MOSFET 1 N-kanal 82 W TO-263-3
Beskrivelse
En MOSFET-transistor er en spændingsstyret konstruktionsdel og kan tilsluttes direkte til kilder med høj modstand. Den er derfor egnet til anvendelse som afbryder eller analog forstærker. Bemærk: Producent SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.