Lignende billede
Lignende billede
Infineon Technologies IRF3415PBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-220
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-220
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
42 mΩ
Datablad (PDF)
530 stk.
Antal (stk.)
Du sparer
Emballagepris (ekskl. moms)
10
-
13,52 kr.
30
7% = 1,01 kr.
12,51 kr.
50
11% = 1,42 kr.
12,10 kr.
100
12% = 1,69 kr.
11,83 kr.
200
15% = 1,99 kr.
11,53 kr.
400
17% = 2,33 kr.
11,19 kr.
Mængderabatter varierer afhængigt af sælgeren
Du sparer 0,00 kr.
Antal
Minimum ordrevolumen:: 10
Intervaller: 10
Total (13,52 kr. / stk.r)
135,20 kr.
ekskl. moms
30 dages returret
Højdepunkter og detaljer
MOSFET (HEXFET / FETKY)
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRF3415PBF
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
TO-220
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
N-kanal
- I(d)
43 A
- U
150 V
- Ydelse (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
42 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
22 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
4 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
250 µA
- Q(G)
200 nC
- Q(G) reference-spænding
10 V
- C(ISS)
2400 pF
- C(ISS) reference-spænding
25 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Serie
HEXFET®
- Drifttemperation (max.)
+175 °C
- Transistor-funktion
Standard
- U(DSS)
150 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 162384 Infineon Technologies IRF3415PBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-220
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 162384 Infineon Technologies IRF3415PBF MOSFET 1 N-kanal 200 W TO-220
Beskrivelse
Bemærk! Dette produkt er blevet maskineoversat.