Lignende billede
Infineon Technologies IRF1018EPBF MOSFET 1 N-kanal 110 W TO-220AB
EAN:
Fremstillingsnr.
Artikel nr.:
Produkttype
MOSFET
Kabinet
TO-220AB
Variant
N-kanal
Ydelse (max) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
8.4 mΩ
Datablad (PDF)
Højdepunkter og detaljer
MOSFET
Vigtig information
Tekniske specifikationer
- Type
IRF1018EPBF
- Produkttype
MOSFET
- Kabinet
TO-220AB
- Producent
Infineon Technologies
- Producent-forkortelse
INF
- Variant
N-kanal
- I(d)
79 A
- U
60 V
- Ydelse (max) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
8.4 mΩ
- R(DS)(on) reference-strøm
47 A
- R(DS)(on) reference-spænding
10 V
- U(GS) (th) maks.
4 V
- U(GS) (th) reference-strøm maks.
100 µA
- Q(G)
69 nC
- Q(G) reference-spænding
10 V
- C(ISS)
2290 pF
- C(ISS) reference-spænding
50 V
- Driftstemperatur (min.)
-55 °C
- Monteringsmåde
Gennemgangshul
- Serie
HEXFET®
- Drifttemperation (max.)
+175 °C
- Transistor-funktion
Standard
- U(DSS)
60 V
- Kanaler
1
- Indhold
1 stk
Dokumenter og downloads
Datablad
Datablad 160859 Infineon Technologies IRF1018EPBF MOSFET 1 N-kanal 110 W TO-220AB
Instruktioner for brug og sikkerhed
Instruktioner for brug og sikkerhed 160859 Infineon Technologies IRF1018EPBF MOSFET 1 N-kanal 110 W TO-220AB
Hvilken type MOSFETS leder du efter?
tilbehør
(*Alle priser er ekskl. moms)Det nødvendige tilbehør er nødvendigt for at kunne bruge den beskrevne vare
4,02 kr.*